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電導率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡是由德國PANCO公司與德國宇航中心聯(lián)合研發(fā)的熱電材料精細測量設備，該設備主要用來測量熱電材料中電勢和塞貝克系數(shù)的二維分布情況。集成化、自動化的設計方案使系統(tǒng)使用非常方便。的穩(wěn)定性和可靠性彰顯了傳統(tǒng)德國制造業(yè)的優(yōu)良品質(zhì)。全新推出的第二代電導率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡（PSM II）在代的基礎上具有更高的位置分辨率和更高的測量精度。應用領域：1、熱電材料，超導材料，燃料電池，導電陶瓷以及半導體材料的均勻度測量2、功能梯度材料測量3、觀察材料退化效應4、監(jiān)測 NTC/PTC 材料的電阻漂移5、固體電介質(zhì)材料中的傳導損耗6、陰極材料的電導率損耗7、GMR 材料峰值溫度的降低，電阻率的變化8、樣品的質(zhì)量監(jiān)控
產(chǎn)品特點：
+ 可以精確測量Seebeck系數(shù)二維分布的商業(yè)化設備。
+ 精確的力學傳感器可以確保探針與樣品良好的接觸。
+ 采用鎖相技術(shù)，精度超過大型測試設備。
+ 快速測量、方便使用，可測塊體和薄膜。
主要技術(shù)參數(shù)：
+ 位置定位精度：單向 0.05 μm；雙向 1 μm
+ 大掃描區(qū)域：100 mm × 100 mm 典型值
+ 局部測量精度：5 μm（與該區(qū)域的熱傳導有關）
+ 信號測量精度：100 nV（采用高精度數(shù)字電壓表）
+ 測量結(jié)果重復性：重復性誤差優(yōu)于3%
+ 塞貝克系數(shù)測量誤差：< 3% (半導體)；< 5% (金屬)
+ 電導率測量誤差： < 4%
+ 測量速度：測量一個點的時間4-20秒
系統(tǒng)組成：
+ 三矢量軸定位平臺及其控制器
+ 定位操縱桿
+ 加熱、測溫探針
+ 力學接觸探測系統(tǒng)
+ 模擬多路器
+ 數(shù)字電壓表
+ 鎖相放大器
+ 攝像探測系統(tǒng)
+ 帶有控制軟件和數(shù)據(jù)接口的計算機
+ 樣品臺與樣品夾具
樣品夾具 |
加熱測溫探針 |
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