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PILATUS3 R CdTe混合像素光子計(jì)數(shù)X射線(xiàn)探測(cè)器

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1產(chǎn)特點(diǎn)

 PILATUS3 R CdTe系列結(jié)合了無(wú)噪聲單光子計(jì)數(shù)的優(yōu)點(diǎn)和在大型碲化鎘(CdTe)傳感器中直接檢測(cè)硬X射線(xiàn)的優(yōu)點(diǎn)。
      與閃爍體的檢測(cè)器相比,混合像素中的直接檢測(cè)產(chǎn)生更銳利的信號(hào)和更好的空間分辨率。 CdTe為Mo,Ag和In輻射提供接近100%的吸收效率。結(jié)合無(wú)噪聲單光子計(jì)數(shù),這將實(shí)驗(yàn)室中的X射線(xiàn)檢測(cè)帶入了一個(gè)新的靈敏度和準(zhǔn)確度水平。
      實(shí)驗(yàn)室中的X射線(xiàn)源,尤其是硬X射線(xiàn)的X射線(xiàn)源比同步加速器弱得多,因此需要較長(zhǎng)的曝光時(shí)間并導(dǎo)致較弱的信號(hào),由于沒(méi)有暗電流和讀出噪音,PILATUS3 R探測(cè)器超過(guò)了實(shí)驗(yàn)室的所有其他技術(shù)。單光子計(jì)數(shù)不含所有其他噪聲源以及CMOS電容檢測(cè)器內(nèi)置的不準(zhǔn)確性,例如復(fù)位噪聲和非線(xiàn)性電荷響應(yīng)。相反,由DECTRIS Instant Retrigger Technology提供動(dòng)力的計(jì)數(shù)電子設(shè)備?結(jié)合精確的計(jì)數(shù)率校正提供寬泛的線(xiàn)性范圍,*兼容所有實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用和*的X射線(xiàn)源。
       具有挑戰(zhàn)性的實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用(如電荷密度研究和配對(duì)分布函數(shù)分析)依靠硬輻射和具有出色信噪比的數(shù)據(jù),PILATUS3 R CdTe探測(cè)器系列提供了高效直接探測(cè)和無(wú)噪聲單光子計(jì)數(shù)的*組合,并且是實(shí)驗(yàn)室中這些要求的匹配。


2、核心優(yōu)勢(shì)
     - Mo,Ag和In量子效率> 90%
     - 直接檢測(cè)清晰的空間分辨率
     - 沒(méi)有讀出噪音,也沒(méi)有黑暗信號(hào)達(dá)到精度
     - 高動(dòng)態(tài)范圍
     - 熒光背景抑制
     - 的計(jì)數(shù)率
     - 同步輻射證明的輻射硬度
     - 免維護(hù)運(yùn)行
     - 高可靠性:沒(méi)有容易發(fā)生故障的密封或復(fù)雜,冷卻至室溫以下


 3、應(yīng)用領(lǐng)域
     - 電荷密度分析
     - 配對(duì)功能(PDF)分析
     - 高分辨率化學(xué)結(jié)晶學(xué)
     - 高壓/高溫XRD
     - 關(guān)鍵尺寸SAXS
     - 計(jì)算機(jī)斷層掃描(CT)

     - 無(wú)損檢測(cè)(NDT)


4、技術(shù)參數(shù): 

PILATUS3   R CdTe

300K

300K-W

探測(cè)器模塊數(shù)量

1 × 3

3 x 1

有效面積:寬×高   [mm2]

83.8 × 106.5

253.7 x 33.5

像素大小 [μm2]

172 x 172

總像素?cái)?shù)量

487 × 619

1475 × 195

間隙寬度, 水平/垂直(像素)

*每個(gè)模塊之間水平間隙增加1個(gè)像素

- */ 17

7* / -

非靈敏區(qū) [ % ]

5.7

1.1

缺陷像素

< 0.1%

大幀頻 [Hz]

20

讀出時(shí)間 [ms]

7

點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)

1 pixel(FWHM)

計(jì)數(shù)器深度

20 bits(1,048,576 counts)

功耗 [W]

30

尺寸(WHD)[mm3]

158 x 193 x 262

280 x 62 x 296

重量 [kg]

7.5

7.0

模塊冷卻

水冷

外接觸發(fā)電壓

5V TTL



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