簡介： l*的第二代全譜光譜儀技術(shù)（數(shù)字化技術(shù)替代老式體積龐大笨重的光電倍增電子管模擬技術(shù)）、通道不再受限制 l引進(jìn)歐洲技術(shù)、國內(nèi)*能生產(chǎn)CCD全譜真空型光譜儀的制造商 l基體范圍內(nèi)通道改變、增加不需費(fèi)用 l可升級為其他基體，無須變動(dòng)增加硬件 l優(yōu)良的數(shù)據(jù)穩(wěn)定性，同一樣品不同的時(shí)間段分析，可獲得良好的數(shù)據(jù)*性 l體積小、重量輕， 移動(dòng)安裝方便 l高集成度、高可靠性、高穩(wěn)定性 l節(jié)電、節(jié)材、能耗只是普通光譜儀50% 光譜儀光學(xué)系統(tǒng) l 帕邢-龍格結(jié)構(gòu)，羅蘭圓光學(xué)系統(tǒng) l 羅蘭圓直徑：350mm l 有效波長范圍：160 – 800 nm l 探測器：多塊高性能線陣CCD l 光室溫度：自動(dòng)控制恒溫：34℃±0.5℃ l 像素分辨率：10pm l 光柵刻線：3600 l/mm l 一級光譜線色散率：1.2 nm/mm l 外部入射窗口，方便清洗及更換 l 的漂移校正功能-得益于自動(dòng)尋峰功能（精確度達(dá)到0.1像素） l 的紫外波段靈敏度，得益于全新改良的真空技術(shù) 數(shù)字等離子發(fā)生器 l 全數(shù)字等離子火花光源技術(shù) l 高效得益于緊湊的設(shè)計(jì)和半導(dǎo)體控制技術(shù) l 高能預(yù)燃技術(shù) (HEPS) l 激發(fā)參數(shù)可通過用戶界面由用戶根據(jù)實(shí)際需求自定義進(jìn)行設(shè)置 l 頻率100 – 1000Hz l 電流1-80A l 調(diào)整參數(shù)可能需調(diào)整元器件 優(yōu)化的樣品臺 l 開放式樣品臺設(shè)計(jì)，滿足大樣品測試要求 l 4mm樣品臺分析間隙 l “噴射電極”技術(shù)輕松應(yīng)對小樣品及復(fù)雜幾何形狀樣品 l 低氬氣消耗, 待機(jī)時(shí):無須待機(jī)流量 l 通用可調(diào)樣品適配器 l 不同基體可方便更換相應(yīng)火花臺 l 優(yōu)化的雜質(zhì)排出系統(tǒng) l 牢固的銅制樣品臺散熱效果 | 
