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上海伯東代理美國 進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40: 小型低成本直流柵極離子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固, 可以配置自對準第三層柵極. 離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量范圍 1
KRI 考夫曼離子源 KDC 40
上海伯東代理美國 進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 40: 小型低成本直流柵極離子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型離子源升級款. 具有更大的柵極, 更堅固, 可以配置自對準第三層柵極. 離子源 KDC 40 適用于所有的離子工藝, 例如預清洗, 表面改性, 輔助鍍膜, 濺射鍍膜, 離子蝕刻和沉積. 離子源 KDC 40 兼容惰性或活性氣體, 例如氧氣和氮氣. 標準配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 40 技術參數(shù)
型號
KDC 40
供電
DC magnetic confinement
- 陰極燈絲
1
- 陽極電壓
0-100V DC
電子束
OptiBeam™
- 柵極
專用, 自對準
-柵極直徑
4 cm
中和器
燈絲
電源控制
KSC 1202
配置
-
- 陰極中和器
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000
- 架構
移動或快速法蘭
- 高度
6.75'
- 直徑
3.5'
- 離子束
集中
平行
散設
-加工材料
金屬
電介質
半導體
-工藝氣體
惰性
活性
混合
-安裝距離
6-18”
- 自動控制
控制4種氣體
* 可選: 可調角度的支架
KRI 考夫曼離子源 KDC 40 應用領域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
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