| 參考價 | 面議 |
尺寸: 直徑= 9.7“ 高= 6”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 20A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體
KRI 霍爾離子源 eH 3000
上海伯東代理美國 進口 KRI 霍爾離子源 eH 3000 適合大型真空系統(tǒng), 與友廠大功率離子源對比, eH 3000 是目前市場上 , 提供 離子束流的離子源.
尺寸: 直徑= 9.7“ 高= 6”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 20A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體
KRI 霍爾離子源 eH 3000 特性
• 水冷 - 加速冷卻
• 可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時,最 限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便
• 高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制
KRI 霍爾離子源 eH 3000 技術參數(shù)
型號
eH3000 / eH3000L / eH3000M / eH3000LE
供電
DC magnetic confinement
- 電壓
50-250V VDC
- 離子源直徑
~ 7 cm
- 陽極結(jié)構
模塊化
電源控制
eHx-25020A
配置
-
- 陰極中和器
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 離子束發(fā)散角度
> 45° (hwhm)
- 陽極
標準或 Grooved
- 水冷
前板水冷
- 底座
移動或快接法蘭
- 高度
4.0'
- 直徑
5.7'
- 加工材料
金屬
電介質(zhì)
半導體
- 工藝氣體
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安裝距離
16-45”
- 自動控制
控制4種氣體
* 可選: 可調(diào)角度的支架;
KRI 霍爾離子源 eH 3000 應用領域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜 ( 光學鍍膜 ) IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉積 DD
若您需要進一步的了解詳細產(chǎn)品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡方式 :
上海伯東 : 羅先生 中國臺灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508
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