NIST SRM2841半導體薄膜AlxGa1-xAs外延層旨在用作測量薄膜成分的分析方法的參考標準

NIST SRM2841半導體薄膜AlxGa1-xAs外延層旨在用作測量薄膜成分的分析方法的參考標準，例如電子微探針分析 (EMPA)、光致發(fā)光 (PL)、俄歇電子能譜 (AES) 和 X 射線光電子能譜（XPS）。

 SRM 2841 的一個單元由 AlxGa1-xAs 外延層組成，在安裝的砷化鎵 (GaAs) 基板上生長經過認證的 Al 摩爾分數(shù) x使用膠帶粘貼到不銹鋼圓盤上。每個單元都密封在含有氮氣氣氛的聚酯薄膜信封中。正確使用 SRM 作為比較標準取決于分析方法（參見“測量條件和程序”和 NIST 特別出版物 260-163 [1]）。

儲存和處理：

NIST SRM2841半導體薄膜AlxGa1-xAs外延層是一種穩(wěn)定的化學化合物，但在儲存和搬運過程中，薄膜會受到表面污染的氧化。SRM應儲存在無塵、氮氣氣氛或低于50°C的低真空環(huán)境中。偶然暴露在空氣中以輸送或使用在分析系統(tǒng)中，直到暴露超過數(shù)千小時時，才會產生明顯的污染。SRM應由金屬安裝盤用清潔的非金屬鑷子處理，而不與半導體區(qū)域接觸。半導體表面的局部污染可以用去離子水或干氮流去除，用戶必須確認沒有引入額外的污染。用于將半導體安裝到不銹鋼圓盤上的膠帶可溶于異丙醇、內酯和其他有機溶劑，使用這些溶劑可能導致膠粘或膠帶顆粒遷移到試樣表面，樣品表面的外邊緣應排除在分析范圍之外。

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