NIST SRM 2133 Si深度剖面中磷種植標準品旨在用于通過二次離子質(zhì)譜 (SIMS) 分析技術(shù)校準對硅基質(zhì)中微量和痕量磷的二次離子響應。

NIST SRM 2133 Si深度剖面中磷種植標準品旨在用于通過二次離子質(zhì)譜 (SIMS) 分析技術(shù)校準對硅基質(zhì)中微量和痕量磷的二次離子響應。 SRM 2133 用于校準 SIMS 儀器對磷的響應特定儀器條件下的硅基體。它也可以被實驗室用作校準硅中磷工作標準的轉(zhuǎn)移標準。該 SRM 由一個 1 cm × 1 cm 的單晶硅襯底組成，該襯底已離子注入同位素 31P，標稱能量為 100 keV。

SRM 2133 已通過 31P 原子保留劑量認證。劑量以每單位面積的磷質(zhì)量單位表示?；?SIMS 分析，提供了關(guān)于磷原子濃度隨地表以下深度變化的其他未經(jīng)認證的信息。

處理：

SRM的植入側(cè)是拋光的，反射面。這一表面是清潔之前，覆蓋包裝。使用前應立即用加壓除塵器將灰塵顆粒從表面清除。不推薦用氫氟酸蝕刻樣品，因為某些磷可以用表面氧化物去除。

儲存：當不使用時，NIST SRM 2133 Si深度剖面中磷種植標準品應該被儲存在原來的托盤中，蓋被緊緊地固定著。

使用：

利用SIMS可以通過監(jiān)測一個或多個濺射離子種類來獲得有關(guān)物質(zhì)組成的信息，因為離子轟擊去除了連續(xù)的離子層。種屬的濃度值通常是用同一種屬的參考樣品在同一矩陣中校準的[5，6J]。

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