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上海伯東代理美國(guó)進(jìn)口 KRI 線性離子源

參考價(jià)	￥ 360000
訂貨量	≥1件

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱(chēng) 伯東企業(yè)（上海）有限公司
品牌
型號(hào)
所在地 上海市
廠商性質(zhì) 經(jīng)銷(xiāo)商
更新時(shí)間 2023/1/5 14:41:23
訪問(wèn)次數(shù) 561

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2020年01月08日至 2020年02月08日

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模內(nèi)澆口分離自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴(lài)度；傳統(tǒng)的塑膠模具開(kāi)模后產(chǎn)品與澆口相連，需二道工序進(jìn)行人工剪切分離，模內(nèi)熱切模具將澆口分離提前至開(kāi)模前，消除后續(xù)工序，有利于生產(chǎn)自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴(lài)。

上海伯東代理美國(guó)進(jìn)口 KRI 線性離子源使用 eH 400 做為模組, 能應(yīng)用于寬范圍的襯底, 離子源長(zhǎng)度高達(dá) 1 米, 通過(guò)嚴(yán)格調(diào)整模組間的距離可以實(shí)現(xiàn)更佳的均勻性和離子流. 由于模組是平行放置, 大大簡(jiǎn)化了氣體, 功率和電子三者的分布. KRI 線性離子源使用標(biāo)準(zhǔn)的端部霍爾模組并使設(shè)備的需求簡(jiǎn)化, 一個(gè)低成本, 高電流和低能量的離子束可以很好的使用于 web 涂層, in-line 沉積

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KRI 線性霍爾離子源 eH Linear
上海伯東代理美國(guó)進(jìn)口 KRI 線性離子源使用 eH 400 做為模組, 能應(yīng)用于寬范圍的襯底, 離子源長(zhǎng)度高達(dá) 1 米, 通過(guò)嚴(yán)格調(diào)整模組間的距離可以實(shí)現(xiàn)更佳的均勻性和離子流. 由于模組是平行放置, 大大簡(jiǎn)化了氣體, 功率和電子三者的分布. KRI 線性離子源使用標(biāo)準(zhǔn)的端部霍爾模組并使設(shè)備的需求簡(jiǎn)化, 一個(gè)低成本, 高電流和低能量的離子束可以很好的使用于 web 涂層, in-line 沉積和圓柱旋轉(zhuǎn)濺射系統(tǒng).

霍爾離子源 eH 400 尺寸
尺寸: 直徑= 3.7“ 高= 3”
放電電壓 / 電流: 50-300eV / 5A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體

KRI 霍爾離子源 eH Linear 技術(shù)參數(shù)

型號(hào)	eHL400-2/ eHL400-3/ eHL400-4/ eHL400-5
供電	DC magnetic confinement
- 電壓	40-200V VDC
- 陽(yáng)極結(jié)構(gòu)	模塊化
電源控制	eHL-30010A
配置	-
- 陰極中和器	Filamentless
- 離子束發(fā)散角度	> 45° (hwhm)
- 陽(yáng)極	標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved
- 底座	移動(dòng)或快接法蘭
- 高度	10 cm
寬度	10 cm
- 長(zhǎng)度	~ 100cm
-工藝氣體	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Others

Model	eHL 200-3	eHL 200-5
Height (nominal)	2.9” (7.4cm)	2.9” (7.4cm)
Width (nominal)	3.3” (8.4cm)	3.3” (8.4cm)
Length (nominal)	Determined by number of modules & application	Determined by number of modules & application
Cathode/Neutralizer	Yes	Yes
Anode module	Yes	Yes
Filamentless	Yes	Yes
Orientation	Vertical / Horizontal	Vertical / Horizontal
Process gases	Inert, reactive, & organic	Inert, reactive, & organic
Power controller	eH Plasma Power Pack	eH Plasma Power Pack

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專(zhuān)li. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.

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