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參考價(jià) | 面議 |
- 公司名稱 蘇州上器試驗(yàn)設(shè)備有限公司
- 品牌
- 型號
- 所在地 蘇州市
- 廠商性質(zhì) 其他
- 更新時間 2024/2/19 17:55:40
- 訪問次數(shù) 84
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WCT儀器展示Sinton的測量和分析技術(shù),包括半標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)光電導(dǎo)系數(shù)(QSSPC)測量方法,該方法由Sinton公司在1994年研發(fā)。載流子合復(fù)壽命經(jīng)過準(zhǔn)確校準(zhǔn)的測量方式,廣泛應(yīng)用于太陽能單晶和多晶硅片。
的瞬態(tài)光電導(dǎo)技術(shù)
QSSPC技術(shù)對于監(jiān)測多晶硅硅片,摻雜劑的擴(kuò)散,和低壽命樣本是理想的技術(shù)。這種方法補(bǔ)充了瞬態(tài)光電導(dǎo)技術(shù)的運(yùn)用。瞬態(tài)光電導(dǎo)技術(shù)在這臺設(shè)備上也是標(biāo)準(zhǔn)的。
QSSPC壽命測量
QSSPC壽命測量也產(chǎn)生隱含的開路電壓(與lllumination)曲線,這可以與an1-v曲線在太陽能電池過程的各個階段進(jìn)行比較。
優(yōu)秀的軟件數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)
Sinton設(shè)備的分析能為每個晶片產(chǎn)生校準(zhǔn)載流子注入水平,所以你可以以一個物理上的方式解讀壽命數(shù)據(jù)。每次測量都會顯示和記錄特定的參數(shù)。
WCT系統(tǒng)功能
單擊即可鎖定晶硅片的關(guān)鍵參數(shù),包括方塊電阻、少子壽命、陷阱密度、發(fā)射極飽和電流密度和暗電壓
?制造過程的逐步監(jiān)測和優(yōu)化
?監(jiān)測初始材料質(zhì)量
?晶片加工過程中檢測重金屬雜質(zhì)
?評估表面鈍化和發(fā)射極摻雜擴(kuò)散
?使用隱含V測量評估過程引起的分流
項(xiàng)目 | 內(nèi)容 |
---|---|
測量參數(shù) | 少子壽命、電阻率、發(fā)射極飽和電流密度、陷阱濃度、標(biāo)準(zhǔn)太陽下Voc |
壽命測量范圍 | 100nm-10ms |
測量(分析)模式 | QSSPC,瞬態(tài)和歸一化壽命分析 |
電阻率測量范圍 | 3-600(未摻雜)Ohms/sq |
可得到的偏壓范圍 | 0-50suns |
可得到的光譜 | 白光和紅外光 |
感應(yīng)范圍 | 直徑40mm |
樣品尺寸,標(biāo)準(zhǔn)配置 | 標(biāo)準(zhǔn)直徑:40-230mm |
硅片厚度范圍 | 10-2000um |
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