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RST5210F型電化學工作站是在RST5200F型的成熟基礎上增加四探針電阻率測試方法而來
RST5210F型電化學工作站是在RST5200F型的成熟基礎上增加四探針電阻率測試方法而來。該測試方法是檢驗和分析導體和半導體材料質量的一種重要的工具，適用于生產企業(yè)、高等院校及各類科研部門。
四探針電阻率測試方法與電化學工作站中的其他方法一樣，軟件界面友好、參數設置簡單明了。啟動測試后，儀器按設定的參數自動連續(xù)采集數據，在屏幕上實時顯示電阻-時間曲線。測試結束后，根據電阻形態(tài)參數自動換算成電阻率及電導率，無需人工計算。配備的專用電化學工作站軟件在電腦上運行，可隨時顯示、保存、打印數據和圖形，以備存查。
本方法的設置參數有：電阻形態(tài)及尺寸、探針形狀及間距、激勵電流及可測電阻范圍、預熱時間、樣點間隔、樣點數量、被測器件電動勢等。
測試工具可根據被測產品及測試項目的要求選購，配置不同的測試工具可滿足不同材料的測試要求。
本儀器的四探針電阻率測量方法適用于分立電阻、線狀電阻、面狀電阻、塊狀電阻、直流器件內阻。也就是說，可測量導體及半導體材料的軸向電阻率、徑向電阻率、擴散層薄膜電阻率。本儀器具有自動電位扣除功能，因此可測量含源直流器件內阻。
電阻形態(tài) | 例子 |
分立電阻 | 各種類型電阻器件 |
線狀電阻 | 銅線、銅棒、鋁線、鋁棒、鐵絲、導電性纖維 |
面狀電阻 | 導電覆蓋膜、ITO導電膜玻璃、金屬化標簽、半導體外延層擴散層、 觸屏薄膜、合金類箔膜、電極涂料導電漆膜，蒸發(fā)鋁膜，PCB銅箔膜 |
塊狀電阻 | 金屬方塊電阻、金屬圓塊電阻、半導體材料晶塊、半導體材料晶圓、 導電橡膠、導電性塑料、導電性陶瓷、導電性糊狀物 |
直流器件內阻 | 鋰離子電池、鉛酸蓄電池、干電池、鈕扣電池 |
應用領域:
電化學教學 電化學分析
電化學合成 痕量元素檢測
電鍍工藝開發(fā) 電池材料研究
環(huán)境保護監(jiān)測 生物電化學傳感器
電解、冶金、制藥 半導體太陽能材料研究
電化學腐蝕研究測量 超級電容器特性測試分析
電池化成及特性測試分析 電壓及電流時間曲線記錄儀
儀器亮點:
具有六十九種電化學測量方法，緊跟電化學測量技術的發(fā)展前沿。
的測量分辨率、精度及抗力，滿足痕量組分檢測及精確標定。
電位掃描范圍寬，±12.8V，確保有機、鈍化、電池、超級電容等測量。
大電流驅動，確保電解、儲能、腐蝕等大面積電極體系的應用。
豐富的智能測量、擬合技術及專業(yè)知識庫，極大地減輕實驗操作者的工作強度。
激勵及采集速率高達10Msps，能適應高速掃描及高頻交流阻抗譜的測量需求。
設有極性、電壓、電流、時間、鏈路保護機制，大大提升儲能電化學實驗的安全性。
一臺計算機可以同時連接兩臺相同的電化學工作站,同時測量分開掃描,數據共享。
主要技術指標：
儀器架構： | 恒電位儀、恒電流儀、交流阻抗頻譜儀 |
接地模式： | 可根據體系要求設置成實地模式或浮地模式 |
槽壓： | ±15V |
電位掃描范圍： | ±12.8V |
CV最小電位增量： | 0.0125mV |
電位控制精度： | <±0.5mV |
電位控制噪聲： | <0.01mV |
電位上升時間： | <0.00025mS |
電位測量零位： | 自動校正 |
電位更新及阻抗采集速率： | 10MHz |
電位測量低通濾波器： | 自動或手動設置 |
電位測量精度： | 滿量程的0.1% |
掃描速度： | 0.000001V/S～20000V/S |
參比電極輸入阻抗//電容： | >1013Ω//<10pF |
恒電流輸出： | ±500mA |
輸入偏置電流： | <0.1pA |
電流測量分辨率： | 電流量程的0.00076%，最小0.2fA |
電流測量零位： | 自動校正 |
電流測量量程： | 1pA～500mA(25檔) |
前置放大倍數： | 5×10×100 |
電流測量靈敏度： | 1×10-12A/V |
電流測量精度： | 滿量程的0.1% |
電流測量低通濾波器： | 自動或手動設置 |
方波伏安法頻率： | 1Hz~100kHz |
交流伏安法頻率： | 0.1Hz~10kHz |
交流阻抗譜頻率: | 0.00001Hz～1MHz（11個頻段） |
正弦波幅度: | 0.01mV～12V |
CA和CC脈沖寬度： | 0.1mS～1200S |
DPV脈沖寬度： | 0.05mS～64S |
IR降補償： | 自動或手動設置（10Ω~1MΩ） |
多階躍循環(huán)次數： | 1000次 |
限壓反饋恒流換向時間： | <0.1mS |
恒流限壓循環(huán)周期： | 0.1S~100000S |
脈沖電鍍//最小脈寬： | 八相脈沖可正可負//0.05mS |
電池全容量充電工步： | 激活、恒流、恒壓、涓流 |
雙通道高速ADC： | 18bit@1Msps |
數據長度： | 20，000，000點 |
通氮攪拌及敲擊控制輸出： | 二路開關量信號（+5V/10mA） |
擴展輸出： | 二路光電隔離數字量信號 |
儲能電化學測量保護模式： | 極性、電壓、電流、時間、鏈路 |
電極智能柔性保護： | 電壓超載、電流超載 |
(2)四探針電阻測試方法參數及技術指標： | |
1.激勵電流范圍： | 10nA、100nA、1uA，10uA，100µA，1mA，10mA，100mA、200mA、500mA |
2.電壓范圍： | 0.5V，1V，2V，5V，10V |
3.電阻范圍： | 0.1mΩ～1GΩ |
4.方塊電阻范圍： | 0.5mΩ/sq～5GΩ/sq |
5.電阻率范圍： | 10-6～106Ωcm |
6.預熱時間： | 0~64秒 |
7.電阻精度： | ≤0.3% |
8.被測器件電動勢： | 無源或者E＜5mV，E＜0.5V，E＜1.5V，E＜4.5V，E＜9.5V。 |
9.測量數據顯示： | 電流、電壓、電阻、方塊電阻、電阻率、電導率 |
10.整機不確定性誤差： | ≤4%（標準樣片結果） |
主要測試方法：
線性掃描伏安法LSV | 單電位階躍計時電流法CA |
線性掃描溶出伏安法 | 單電位階躍計時電量法CC |
線性掃描循環(huán)伏安法LCV | 多電位階躍計時電流法 |
階梯伏安法SV | 多電位階躍計時電量法 |
階梯溶出伏安法 | 單電流階躍計時電位法CP |
階梯循環(huán)伏安法SCV | 多電流階躍計時電位法 |
方波伏安法SWV | 恒電位電解I-T曲線 |
方波溶出伏安法 | 恒電位電解Q-T曲線 |
方波循環(huán)伏安法SWCV | 恒電位溶出I-T曲線 |
差示脈沖伏安法DPV | 恒電位溶出Q-T曲線 |
差示脈沖溶出伏安法 | 開路電位E-T曲線OCPT |
常規(guī)脈沖伏安法NPV | 電位溶出E-T曲線 |
差示常規(guī)脈沖伏安法DNPV | 控制電流E-T曲線 |
差分脈沖電流檢測 | 控制電位電解庫侖法 |
雙差分脈沖電流檢測 | 鍍錫量測定 |
三脈沖電流檢測 | 塔菲爾圖Tafel |
積分脈沖電流檢測 | 環(huán)形掃描 |
脈沖電鍍法 | 點蝕電位 |
電鍍電位監(jiān)測 | 電偶腐蝕 |
流體力學調制伏安法 | 電化學噪聲測量 |
交流伏安法ACV | 氯離子濃度監(jiān)測 |
交流溶出伏安法 | 宏電池電流監(jiān)測 |
交流循環(huán)伏安法ACCV | 半電池恒流陽極極化 |
二次諧波交流伏安法 | 半電池恒流陰極極化 |
傅里葉變換交流伏安法 | 半電池恒流循環(huán)極化 |
電流掃描計時電位法 | 電池恒流充電 |
交流阻抗譜EIS | 電池恒流放電 |
交流阻抗-電位 (阻抗模-電位、輻角-電位、Mott-Schottky) | 電池恒流循環(huán)充放電 |
交流阻抗-時間 | 電池全容量分段充電 |
溶液電阻測量 | 電池全容量分段放電 |
微分電容-電位 | 恒流限壓快速循環(huán)充放電 |
微分電容-頻率 | 零阻電流計 |
高阻電位計 | 四探針方塊電阻測量 |
器件電阻電源內阻測量 | 刀型探頭方塊電阻測量 |
線狀材料電阻率測量 |
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*宏方法：用戶可自編腳本進行多種電化學方法的組合運行
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