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PR-T5全譜直讀光譜儀

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產(chǎn)品詳情InnovateT5型全譜直讀光譜儀采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)和制造工藝技術(shù),應(yīng)用了日本濱松公司**進(jìn)的CMOS信號(hào)采集元件,每塊CMOS都可以單獨(dú)設(shè)值火花個(gè)數(shù),與國(guó)際光譜儀**技術(shù)同步,采用真空光室設(shè)計(jì)及全數(shù)字激發(fā)光源

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產(chǎn)品詳情

InnovateT5型全譜直讀光譜儀采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)和制造工藝技術(shù),應(yīng)用了日本濱松公司**進(jìn)的CMOS信號(hào)采集元件,每塊CMOS都可以單獨(dú)設(shè)值火花個(gè)數(shù),與國(guó)際光譜儀**技術(shù)同步,采用真空光室設(shè)計(jì)及全數(shù)字激發(fā)光源。這款CMOS光譜儀,既包含了CCD光譜儀的全譜特性,又具備PMT光譜儀對(duì)非金屬元素的極低檢出限,整機(jī)設(shè)計(jì)合理,操作簡(jiǎn)單易學(xué),具有數(shù)據(jù)**,長(zhǎng)期穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。

1鑄造 1冶金 1機(jī)械加工 1消防 1航天航空 1金屬加工 1金屬材料質(zhì)量鑒定 1新材料開(kāi)發(fā)

服務(wù)

CCD+CMOS

全譜圖

全譜譜線圖

1CCD+CMOS全譜分析技術(shù)

豐富的譜線信息,分析靈敏線更多,保證分析的準(zhǔn)確度;

基于全譜測(cè)量的數(shù)據(jù),能夠正確區(qū)分背景和譜線,有效提高測(cè)量精度;

智能選擇*合適的靈敏線,通過(guò)多譜線結(jié)合技術(shù),實(shí)現(xiàn)低中高含量段的檢測(cè)需求;

基于全譜測(cè)量數(shù)據(jù)的多峰擬合技術(shù),有效消除譜線干擾,實(shí)現(xiàn)精確測(cè)量。

CMOS產(chǎn)品PCB板光學(xué)

CMOS線陣傳感器

1**的實(shí)時(shí)智能漂移校正技術(shù)

在分析過(guò)程中實(shí)時(shí)進(jìn)行光譜漂移校正,增強(qiáng)儀器穩(wěn)定性;

減少標(biāo)準(zhǔn)化校正次數(shù),延長(zhǎng)校正周期;

自動(dòng)完成儀器校正,操作更加簡(jiǎn)便。

漂移校正

譜線漂移校正

1的CMOS檢測(cè)技術(shù)優(yōu)于CCD

CMOS相比CCD具有更高的靈敏度和響應(yīng)速度;

CMOS相比CCD具有更好的線性度;

CMOS相比CCD具有的紫外光敏感度,在深紫外區(qū)如碳、磷、硫、硼、砷、氮等短波元素的檢測(cè)更準(zhǔn)確。

紫外元素強(qiáng)度對(duì)比

紫外元素強(qiáng)度對(duì)比

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 5 創(chuàng)CMOS全譜接收技術(shù);

  • 5 人性化一鍵激發(fā),一鍵緊急停止;

  • 5 一體化光室光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì);

  • 5 可編程脈沖全數(shù)字光源技術(shù);

  • 5 可分析Fe、Al、Cu、Zn、Ni、Ti、Mg、Co等多種基體;

  • 5 波長(zhǎng)范圍140-680nm,可滿足更多元素的分析要求。



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