等離子體修飾系統(tǒng)，利用卓聚自創(chuàng)的三溫區(qū)管式爐，通過(guò)氧氣輔助化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在藍(lán)寶石襯底上外延生長(zhǎng)了大尺寸、高質(zhì)量的單層二硫化鉬薄膜

等離子體修飾系統(tǒng)，利用卓聚自創(chuàng)的三溫區(qū)管式爐，通過(guò)氧氣輔助化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在藍(lán)寶石襯底上外延生長(zhǎng)了大尺寸、高質(zhì)量的單層二硫化鉬薄膜。在生長(zhǎng)過(guò)程中引入氧氣，不僅能夠有效的阻止三氧化鉬源中毒，降低形核密度，而且還能減小硫空位密度，從而實(shí)現(xiàn)了大尺寸單晶單層二硫化鉬的生長(zhǎng)。

利用等離子體修飾系統(tǒng)，在自限生長(zhǎng)的前提下，目前已實(shí)現(xiàn)了兩英寸晶圓級(jí)高質(zhì)量單層二硫化鉬的外延生長(zhǎng)（99%覆蓋度，成膜均勻），并通過(guò)改進(jìn)轉(zhuǎn)移設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了晶圓級(jí)薄膜的且襯底無(wú)損轉(zhuǎn)移。單層二硫化鉬薄膜均勻覆蓋在整個(gè)藍(lán)寶石襯底上，而且沒(méi)有縫隙，沒(méi)有重疊層。 薄膜由晶粒尺寸為 1 微米，相對(duì)取向?yàn)?60 o的晶粒拼接而成。成型薄膜只包含 60 o晶界。

等離子體修飾系統(tǒng)產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

1. 有效避免固態(tài)源中毒；

2.成膜均勻性好；

3.成膜面積大；

4.快速、生長(zhǎng)速度可控。

圖：兩英寸單層二硫化鉬的取向外延生長(zhǎng)

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