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現(xiàn)場/遠(yuǎn)程-飛行時間二次離子質(zhì)譜

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設(shè)備介紹飛行時間二次離子質(zhì)譜技術(shù)(TimeofFlightSecondaryIonMassSpectrometry,TOF-SIMS)是一種非常靈敏的表面分析技術(shù),通過用一次離子激發(fā)樣品表面,打出極其微量的二次離子,根據(jù)二次離子因不同的質(zhì)量而飛行到探測器的時間不同來測定離子質(zhì)量,具有分辨率的測量技術(shù)

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設(shè)備介紹

飛行時間二次離子質(zhì)譜技術(shù)(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry,TOF-SIMS)是一種非常靈敏的表面分析技術(shù),通過用一次離子激發(fā)樣品表面,打出極其微量的二次離子,根據(jù)二次離子因不同的質(zhì)量而飛行到探測器的時間不同來測定離子質(zhì)量,具有分辨率的測量技術(shù)。

儀器型號

飛行時間二次離子質(zhì)譜IONTOF 5

技術(shù)參數(shù)

  • TOF.SIMS 5 – 100包括分析器,真空系統(tǒng),軟硬件等基本配置
  • Bi Nanoprobe第二代液態(tài)金屬團簇離子源,30kV,離子光學(xué)鏡筒,3級透鏡
  • Gas Cluster離子源20kV氣體團簇離子源
  • DSC-S用于深度剖析濺射用離子源的連接控制裝置

案例展示

    應(yīng)用范圍

    應(yīng)用范圍:當(dāng)產(chǎn)品表面存在微小的異物,而常規(guī)的成分測試方法無法準(zhǔn)確對異物進行定性定量分析,可選擇TOF-SIMS.


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