X射線(xiàn)晶體：彎晶光譜儀
簡(jiǎn)介
X射線(xiàn)晶體光譜儀（x-ray imaging crystal spectrometer）常用于高能射線(xiàn)的測(cè)量，按照使用晶體分為：平面晶體譜儀和彎晶譜儀。通常情況下，平面晶體譜儀由于器結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，加工難度低而廣泛應(yīng)用于X射線(xiàn)光譜分析，是一種*簡(jiǎn)單的X 射線(xiàn)光譜測(cè)量?jī)x器。然而平面譜儀不具備聚焦功能，因此收光效率低，譜線(xiàn)強(qiáng)度弱。此外光源尺寸對(duì)光譜分辨率的影響明顯，不滿(mǎn)足高光譜分辨的測(cè)量需求。彎晶光譜儀通過(guò)將分光晶體衍射面彎曲成各種曲面而達(dá)到強(qiáng)聚焦的目標(biāo)。球面彎曲晶體，同時(shí)具備色散與成像的二維特性。結(jié)合晶體布拉格衍射和球面鏡聚焦特性，在沒(méi)有狹縫或真空的情況下，結(jié)合二維X 射線(xiàn)探測(cè)器，可以同時(shí)得到光譜和空間分辨的X 射線(xiàn)光源像。目前球面彎晶在慣性約束和磁約束等離子體診斷中都得到了廣泛的應(yīng)用。等離子體離子溫度，旋轉(zhuǎn)速度是表征聚變等離子體性能的重要參數(shù)，也是開(kāi)展眾多等離子體物理問(wèn)題研究的數(shù)據(jù)基礎(chǔ)。在托卡馬克裝置中，彎晶譜儀通過(guò)測(cè)量等離子體雜質(zhì)譜線(xiàn)的多普勒頻移與多普勒展寬來(lái)測(cè)量離子溫度和旋轉(zhuǎn)速度?；谄洳灰蕾?lài)于中性束注入以及在各種射頻波加熱下都能正常運(yùn)行的特性，尤其適合純射頻波加熱下等離子體溫度的測(cè)量，是托卡馬克裝置中的重要物理診斷之一。北京卓立儀器有限公司基于客戶(hù)需求及過(guò)去20年的光譜研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，推出成套的彎晶光譜儀測(cè)試系統(tǒng)。
彎晶譜儀的原理
X射線(xiàn)晶體：彎晶光譜儀是一種用于X射線(xiàn)光譜測(cè)量的重要工具，它基于布拉格衍射定律工作，通過(guò)合理選擇材料和彎晶的形狀，能夠精確控制X射線(xiàn)的衍射效應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)X射線(xiàn)的單色反射聚焦。其構(gòu)型多樣，包括約翰型、約翰森、對(duì)數(shù)螺線(xiàn)、橢球和Von Hamos等，廣泛應(yīng)用于科學(xué)研究、工業(yè)檢測(cè)等領(lǐng)域。主要部件包含有：根據(jù)所需測(cè)試范圍的彎晶，成套光路搭建，以及后端探測(cè)設(shè)備（真空相機(jī)為主）。在彎晶譜儀各部件中，探測(cè)器是決定彎晶譜儀系統(tǒng)性能的關(guān)鍵設(shè)備之一，尤其是在長(zhǎng)脈沖高功率輔助加熱等離子體運(yùn)行條件下，不僅需要有高的計(jì)數(shù)率，同時(shí)也要有好的動(dòng)態(tài)范圍反映加熱前后等離子體參數(shù)變化。彎曲的晶體并不能使X射線(xiàn)聚焦，但是能夠以衍射的方式使X射線(xiàn)匯聚成一條線(xiàn)或一個(gè)點(diǎn)。曲面彎晶可以是透射式或反射式的,而且可以彎曲成與圓柱面、球面、環(huán)面或?qū)?shù)曲面的一小部分相符合的曲面。
彎晶譜儀原理圖：
A為入射點(diǎn)，B為成像面，
用于Tokamak上球面彎晶譜儀示意圖
彎晶譜儀的主要參數(shù)
測(cè)試X射線(xiàn)波長(zhǎng)：
彎晶譜儀主要用于X射線(xiàn)波長(zhǎng)范圍內(nèi)的測(cè)量，通常在0.1到10納米之間。通過(guò)選擇不同晶格間距的晶體，可以覆蓋從軟X射線(xiàn)到硬X射線(xiàn)的范圍。
測(cè)試能量范圍
軟X射線(xiàn)：適用于研究輕元素和生物樣品，通常在幾百電子伏特（eV）到幾千電子伏特的范圍。
硬X射線(xiàn)：適用于研究重元素和高密度材料，通常在幾千電子伏特到幾萬(wàn)電子伏特的范圍。
光譜分辨率：根據(jù)需求，可以得到nm級(jí)別甚至更高的分辨率。
技術(shù)指標(biāo)
■ 波長(zhǎng)范圍：0.1-10nm
■ 能量范圍：幾百eV~幾十keV
■ 光譜分辨率：100-1000@寬譜段；>1000@譜形測(cè)量
■ 接受定制化需求
■ 不同應(yīng)用場(chǎng)景下相關(guān)配置參考如下：
彎晶譜儀的相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域
材料科學(xué)：用于研究材料的微觀(guān)結(jié)構(gòu)和成分。
物理學(xué)：用于研究高能物理現(xiàn)象和粒子特性，如慣性約束和磁約束等離子體診斷中使用
化學(xué)分析：用于定量和定性分析化合物中的元素
相關(guān)測(cè)試數(shù)據(jù)案例
案例一：用Andor真空相機(jī)搭建的彎晶譜儀獲得的Si Kα譜線(xiàn)
案例二：使用Detrics的PILATUS相機(jī)搭建的彎晶譜儀測(cè)得的數(shù)據(jù)
搭配的探測(cè)器選項(xiàng)1（Andor）：
高靈敏度科學(xué)級(jí)相機(jī) |
產(chǎn)品系列
| 科學(xué)級(jí)像增型ICCD |
腔外式X射線(xiàn)及真空紫外系列CCD相機(jī) |
型號(hào)
| iKon-M SO | iKon-L SO | DO920
| DO940
|
DO934/DY934 | DO936/DY936 |
芯片類(lèi)型 | 1.BN:背感光CCD，無(wú)涂層；
2.New-BEN:背感光CCD；強(qiáng)化工藝，無(wú)涂層；
3.Fl:前感光CCD；
4.BR-DD:背感光深耗盡CCD； | 1.BN:背感光CCD，無(wú)涂層；
2.Fl:前感光CCD；
3.BR-DD:背感光深耗盡CCD； |
有效像素 | 1024*1024 | 2048*2048 | 1024*255 | 2048*512 |
像素大小 | 13*13 μm | 13.5*13.5 μm | 26 x 26 μm | 13.5 x 13.5 μm |
滿(mǎn)阱容量 | 100000e- | 87000e- |
探測(cè)面尺寸 | 13.3*13.3mm(100% fill factor) | 27.6*27.6mm(100% fill factor) | 27.6*6.9 |
*低制冷溫度 | -100℃ | -55℃ | -100°C |
讀出速度 | 0.05,1,3,5MHz | 4MHz |
讀出噪聲 | <2.9e- | 2.8e- |
幀頻 | 4.4fps | 0.95fps | / | / |
峰值光點(diǎn)轉(zhuǎn)換效率 | >95%(BN/BEN);>90%(BR-DD) | / | / |
線(xiàn)性度 | >99% | / | / |
光陰極重復(fù)頻率 | 500KHz | 500KHz | / | / |
其它 | 1.開(kāi)放式前端- DN100CF / 6cf / CF-152法蘭和刀口密封是真空室直接接口的標(biāo)準(zhǔn)配置(iKon-M型可旋轉(zhuǎn)設(shè)計(jì))。
2.1 MP和4.2 MP傳感器選項(xiàng)-可選擇采集速度或大視場(chǎng)，以最佳匹配實(shí)驗(yàn)需求。
3.13x13m像素大小-理想的動(dòng)態(tài)范圍和分辨率的平衡，頭部封裝擴(kuò)展動(dòng)態(tài)范圍。
4.在軟x射線(xiàn)范圍內(nèi)增加定量寬松的增強(qiáng)工藝背光傳感器選項(xiàng)。
5.USB 2.0接口-內(nèi)置健壯的即插即用接口作為標(biāo)準(zhǔn)。裁剪的傳感器模式跟蹤穩(wěn)定性，以確保所有讀出電路經(jīng)歷相同的溫度和操作條件。
6.增強(qiáng)基線(xiàn)鉗-較慢的讀出*低噪音，更快的速度更快速的讀出和聚焦。
7.Labview和EPICS兼容性
8.不需維護(hù)的深TE-cooling下降到-100 c |
搭配的探測(cè)器選項(xiàng)2（Dectris）
