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日立SU9000超高分辨冷場發(fā)射掃描電鏡，達(dá)到掃描電鏡世界zui高二次電子分辨率0.4nm和STEM分辨率0.34nm。日立SU9000采取了全新改進(jìn)的真空系統(tǒng)和電子光學(xué)系統(tǒng)，不僅分辨率性能明顯提升，而且作為一款冷場發(fā)射掃描電鏡甚至不需要傳統(tǒng)意義上的Flashing操作，可以率的快速獲取樣品超高分辨掃描電鏡圖像。
內(nèi)透鏡掃描電鏡-離子研磨IM4000聯(lián)用樣品臺
不需把樣品從SEM截面樣品臺上取下，直接用離子研磨
不需用導(dǎo)電膠或固定膠固定樣品
操作步驟
NAND閃存截面觀測
上圖為NAND閃存切割后直接在內(nèi)透鏡掃描電鏡SU9000下的觀測結(jié)果，右圖為同一區(qū)域同一條件下，再經(jīng)過IM4000的氬離子束研磨后的觀測結(jié)果。研磨前，如箭頭所指處，由于堆積了很多其他雜質(zhì)，以及原貌變形及損傷，可供觀測及測量的浮柵的區(qū)域十分有限。但經(jīng)過IM4000離子研磨后，樣品截面十分平整干凈，整個觀測區(qū)域都可觀測到浮柵及STI(Shallow Trench Isolation)。
日立高新超高分辨率場發(fā)射掃描電子顯微鏡SU9000
日立高新超高分辨率場發(fā)射掃描電子顯微鏡SU9000是專門為電子束敏感樣品和需zui大300萬倍穩(wěn)定觀察的*半導(dǎo)體器件，高分辨成像所設(shè)計。
•新的電子槍和電子光學(xué)設(shè)計提高了低加速電壓性能。
•0.4nm / 30kV(SE)•1.2nm / 1kV(SE)•0.34nm / 30kV(STEM)
•用改良的高真空性能和的電子束穩(wěn)定性來實現(xiàn)率截面觀察。
•采用全新設(shè)計的Super E x B能量過濾技術(shù)，，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。
日立高新離子研磨裝置IM4000
日立高新離子研磨裝置IM4000具有斷面加工和平面研磨功能的混合儀器!
•日立高新離子研磨裝置IM4000的混合模式帶有兩種研磨配置：
斷面加工：將樣品斷面研磨光滑，便于表面以下結(jié)構(gòu)高分辨成像。
平面研磨：將樣品表面均勻研磨5平方毫米，從不同角度有選擇地研磨，以便突出樣品的表面特性。
•日立高新離子研磨裝置IM4000的高通量能提高加工效率：
與之前的E-3500型相比，采用新型離子槍設(shè)計，減少了橫截面研磨時間。
zui大加工率：硅元素為300微米/小時 — 加工時間減少了66%。
•日立高新離子研磨裝置IM4000的可拆卸樣品臺裝置：為便于樣品設(shè)置和定義研磨邊緣，可將樣品臺裝置拆卸。
產(chǎn)品特點
•混合模式：兩種研磨配置
斷面加工：將樣品斷面研磨光滑，便于表面高分辨觀察；
平面研磨：不同角度有選擇地，大面積，均勻地研磨5 mm的平面，以突顯樣品的表面特性；
•：提高加工效率
與之前的E-3500型相比，采用新型離子槍設(shè)計，減少了橫截面研磨時間(zui大加工速度：硅材質(zhì)為300 μm/h - 加工時間減少了66%)
•可拆卸式樣品臺：為便于樣品設(shè)置和邊緣研磨，樣品臺設(shè)計為可拆卸型。
關(guān)于日立*公司：
日立*公司，于2013年1月，融合了X射線和熱分析等核心技術(shù)，成立了日立*科學(xué)。以“光”“電子線”“X射線”“熱”分析為核心技術(shù)，精工電子將本公司的全部股份轉(zhuǎn)讓給了株式會社日立高新，因此公司變?yōu)槿樟⒏咝碌淖庸荆瑫r公司名稱變更為株式會社日立*科學(xué)，擴(kuò)大了科學(xué)計測儀器領(lǐng)域的解決方案。日立*集團(tuán)產(chǎn)品涵蓋半導(dǎo)體制造、生命科學(xué)、電子零配件、液晶制造及工業(yè)電子材料，產(chǎn)品線更豐富的日立*集團(tuán)，將繼續(xù)科學(xué)領(lǐng)域的核心技術(shù)。
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展會城市：上海市展會時間：2024-12-11