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簡介：三硒化錳（磷摻雜）晶體（99.995%）MnPSe3晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,...

簡介：OurTiSe2crystalsarestabilizedin2H-phase（CDWmetallicphase）.

簡介：BismuthSelenide（Bi?Se?）Developedatourfacilitiessinceearly2011tooptimizetheperfectstoichiometryands...

簡介：硫化鎵晶體GaS（GalliumSulfide）晶體尺寸：~10毫米電學性能：半導體晶體結構：六邊形晶胞參數：a=0.360,b=0.640nm,c=1.544nm,α=β=90#176;,γ=1...

簡介：WorldrecordsizesinglecrystalSnSe?（Tindiselenide）crystalsaredevelopedatourfacilitiesusingstate-of-a...

簡介：硫化鍺晶體GeS（GermaniumSulfide）晶體尺寸：~10毫米電學性能：半導體晶體結構：斜方晶系晶胞參數：a=1.450,b=0.364nm,c=0.430nm,α=β=γ=90#176...

簡介：NiobiumatomsareperfectlyincorporatedintoReSe?matrix.

簡介：二硫化鉿晶體HfS2（HafniumDisulfide）晶體尺寸：~10毫米電學性能：半導體晶體結構：六邊形晶胞參數：a=b=0.363nm,c=0.586nm,α=β=90#176;,γ=120...

簡介：OurMoWSe2alloyswiththechemicalformulaMoxW（1-x）Se2crystalsperfectlycrystallizein2Hphaseandcomeatdif...

簡介：二硫化鉬晶體（天然）MoS2（MolybdenumDisulfide）晶體結構：六邊形類型：天然晶體尺寸：~10mm-20mm純度：gt;99%屬性：半導體

簡介：Superconductivityinmonolayers.Currently,2Daspectofthismaterialremainslargelyunexplored.

簡介：二硫化鉬晶體（2H-合成/99.995%/n型）MoS2（MolybdenumDisulfide）-syn晶體尺寸:~10毫米電學性能：N型半導體晶體結構：六邊形晶胞參數：a=b=0.315nm,...

簡介：NiobiumatomsareperfectlyincorporatedintoReSe?matrix.

簡介：二硫化鉬晶體（2H-合成/99.995%/p型）MoS2（MolybdenumDisulfide）-syn晶體尺寸:~10毫米電學性能：P型半導體晶體結構：六邊形晶胞參數：a=b=0.315nm,...

簡介：HighpurtiyWSe2crystalshavebeenI2（iodine）intercalatedtoachievep-typedoping.

簡介：大尺寸二硫化鉬晶體（天然/99.9%）MoS2（MolybdenumDisulfide）晶體尺寸：~10毫米-15毫米電學性能：半導體晶體結構：六邊形晶胞參數：a=b=0.315nm,c=1.22...

簡介：ThefirstMoWTe2ternaryalloy.

簡介：二硫化鎢鉬晶體MoWS2（MolybdenumTungstenDisulfidealloy）晶體尺寸：~6毫米電學性能：半導體晶體結構：六邊形晶胞參數：取決于合金成分：a=b=0.31-0.33n...

簡介：Inthebulkform（TlSe）,Thaliumselenide,hasband-gapataround0.7eVanddisplaystrongphotoluminescence.

簡介：二硫化鈮晶體3R-NbS2（NiobiumDisulfide）晶體尺寸：4毫米電學性能：金屬晶體結構：六邊形晶胞參數：a=b=0.330nm,c=1.792nm,α=β=90,γ=120#176;...