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- +制樣/消解設(shè)備
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- +恒溫/加熱/干燥設(shè)備
- +加熱設(shè)備
- +恒溫設(shè)備
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- +合成/反應(yīng)設(shè)備
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- +泵
- +液體處理設(shè)備
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- +實驗室家具
- +其它實驗室常用設(shè)備
最新產(chǎn)品
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簡介:單層氧化石墨烯水溶液SingleLayerGrapheneOxideWaterDispersion新產(chǎn)品:gno1w001制備方法:改良的H法濃度:10mg/mL100ml每瓶(1g)溶劑:去離子...
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簡介:Semiconductoranalogofgraphene:GrapheneoxidehasbeensynthesizedatourRamp;Dfacilitiesusingmodifiedrea...
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簡介:氧化石墨烯(進口)GraphiteOxide用H法制備,水溶性好直徑:0.5~5um厚度:1~3nm
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簡介:單層石墨烯(進口)SingleLayerGraphene高比表面積石墨烯制備方法:熱剝離還原與氫化還原BET比表面積(平方米/克):400~1000電阻率(Ω?cm)≤0.30分散性:利用聲波降解...
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簡介:單層石墨烯(石墨烯家族)SingleLayerGraphene(GrapheneFactory)BET比表面積(平方米/克):650~750電導(dǎo)率(S/m):500~700層數(shù):1-5層的原子層的...
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簡介:石墨烯納米薄片(2~10nm)GrapheneNanoplaets體積特性外觀:黑色和灰色粉末碳含量:>99.5%體積密度:0.10克/毫升水含量:0.5wt%殘留雜質(zhì):0.5wt%物理性質(zhì)直徑:...
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簡介:高比表面積氧化石墨烯HighSurfaceAreaGrapheneOxide制備方法:改良的H法高表面積氧化石墨烯直徑:1~5um厚度:0.8~1.2nm單層比:99%純度:99%比表面積(BET...
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簡介:氮摻雜石墨烯粉末Nitrogen-dopedGraphenePowderBET比表面積(平方米/克):500~700電導(dǎo)率(S/m)gt;1000(其特征在于在0.3g/cm3的密度)層數(shù):1-5...
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簡介:工業(yè)級石墨烯Industrial-QualityGraphene制備方法:熱剝離還原厚度(nm):≤3BET比表面積(平方米/克):~600電阻率(Ω?cm):0.30
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簡介:羧基化石墨烯CarboxylGraphene直徑:1~5um厚度:0.8~1.2nm羧基比例:5%純度:99%
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